1、同济大学的半导体与信息技术研究所致力于前沿科技的探索，其核心职责在于密切关注全球信息技术领域的最新动态，并紧密结合国家信息产业发展战略。该研究所特别关注半导体材料和器件的研究，努力推动这一关键技术领域的创新，以满足日益增长的科技需求。
2、同济大学的半导体与信息技术研究所自成立以来，依托于学校实施的第一期“振兴行动计划”项目获得了强有力的支持。经过团队半年的精心筹备，于2001年初，研究所正式在同济大学科技园的2号楼落成，开启了其科研征程。
3、同济大学电子与信息工程学院下设电气工程系、电子科学与技术系、信息与通信工程系、控制科学与工程系、计算机科学与技术系等5个系和CAD研究中心、CIMS研究中心两个中心。
总之，外延生长工艺在半导体制造中扮演着无可替代的角色，它以微细而强大的力量，塑造着电子世界的基石，是实现高性能半导体器件的关键所在。而应用材料公司的卓越贡献，无疑为这个领域带来了新的可能和无限的创新空间。
外延（Epitaxy， 简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si/Si），也可以是异质外延层（SiGe/Si 或SiC/Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV/CVD），常压及减压外延（ATM & RP Epi）等等。
外延片生长是制备半导体元件和芯片的重要工艺之一，其过程一般包括以下步骤： 衬底准备：选择符合要求的晶片衬底，如硅、蓝宝石等单晶衬底，对衬底进行清洗，以确保表面平整光洁。 质量检测：对衬底进行常规检测，如晶格常数、晶面朝向、表面平整度等测试，以确定衬底的质量和性能参数。
功率器件的制造涉及多种工艺，其中包括多层外延工艺。在功率MOSFET、IGBT等高性能功率半导体器件的制造中，多层外延工艺扮演着关键角色。该工艺通常包括以下几个步骤： 外延生长：这一步骤是多层外延工艺的起始环节。通过在晶片表面沉积多层半导体材料，如硅（Si）或碳化硅（SiC），形成多层材料结构。
简单来说，衬底是半导体器件制造的基础，而外延层则是其上生长的一层，通过改善材料的缺陷和杂质，提升半导体器件的整体性能。二者在半导体器件制造中都扮演着不可或缺的角色。选择合适的衬底材料和优化外延工艺，是确保半导体器件质量的关键。
外延工艺的世界 外延，就像单晶宝石的生长，是半导体制造的精密艺术。它在经过精心打磨的单晶衬底上培育出一层与之晶向匹配的单晶层，这层外延层的诞生，使得硅基半导体得以突破性能极限。
近日，美国纽约大学工学院化学与生物分子工程系教授 Elisa Riedo 领导的团队，报告了原子级薄度处理器制造工艺中的一项重要突破。这一发现不仅将对纳米芯片制造工艺产生深远影响，而且也将鼓舞全世界各个实验室中 探索 将二维材料应用于更小更快的半导体的科学家们。
年，美国纽约大学科学家发现，DNA（脱氧核糖核酸）可用于建造纳米层次上的机械装置。2000年，美国朗讯公司和英国牛津大学的科学家用DNA的碱基配对机制制造出了一种每条臂长只有7纳米的纳米级镊子。 1998年，中国科技大学钱逸泰院士的研究组用催化热解法，从四氯化碳制备出金刚石纳米粉，被国际刊物誉为“稻草变黄金”。
美国Rutgers大学于1989年率先研制成功纳米结构硬质合金并取得专利。纳米结构硬质合金的问世，是硬质合金领域中具有划时代意义的重大突破，为解决硬质合金强度和硬度之间的矛盾开辟了新的途径。碳纳米管北京化工大学的段雪院士领导的团队在超短碳纳米管的研究上取得了重大进展。
纳米级是毫微米级别的长度的度量单位。国际单位制符号为nm。1纳米=10的负9次方米，长度单位如同厘米、分米和米一样，是长度的度量单位。1纳米相当于4倍原子大小，比单个细菌的长度还要小的多。国际通用名称为nanometer，简写nm。单个细菌用肉眼是根本看不到的，用显微镜测直径大约是五微米。
第一种，是1986年美国科学家德雷克斯勒博士在《创造的机器》一书中提出的分子纳米技术。根据这一概念，可以使组合分子的机器实用化，从而可以任意组合所有种类的分子，可以制造出任何种类的分子结构。这种概念的纳米技术未取得重大进展。 第二种概念把纳米技术定位为微加工技术的极限。
张荣在科研专利方面也硕果累累，已获得24项国家专利。他的科研成就得到了国家的认可，曾获国家技术发明三等奖，以及国家教委科技进步奖和江苏省科技进步奖。
在他的科研生涯中，张荣已收获显著的成果。他荣获省级科研成果三等奖和杨凌示范区科技一等奖，以及校级教学成果二等奖两项，这些都是对他学术贡献的认可。
张荣教授的科研项目丰富多样，涵盖了多个重要领域。他的研究工作在国家自然科学基金的支持下取得了显著成果。一项是关于基于自抗扰控制理论的微分对策均衡解的深入探究，该项目在2011年至2013年间进行，期间他探索了不确定时域下的寡头竞争问题，展现出对复杂动态环境的深刻理解（2008年1月至2010年12月）。
在多媒体辅助教学领域，他研制的《无机化学CAI软件》和《化学实验多媒体辅助教学系统》分别获得了全国多媒体教学软件大赛的三等奖。在论文方面，张荣撰写的《使用高职无机化学的体会》、《无机化学实验教材编写体会》等文章分别发表在国家级和省级刊物上，分享了他在教学实践中的经验和见解。
经过三年的边建设边开放，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室（西安电子科技大学）已取得显著成就。实验室在宽禁带半导体材料的生长、表征、改性以及器件设计等方面展现出了卓越的能力。
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，依托于西安电子科技大学，是我国在宽禁带半导体材料与器件领域的重要研究平台。实验室在2007年获得国家批准建设，成为国家级重点实验室。同年，实验室被认定为中国国防科技创新团队，进一步凸显了其在宽带隙半导体研究领域的核心地位。
宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙（宽禁带）半导体材料与器件的应用基础研究。
学院现有三个部级重点实验室，即宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室、“微电路可靠性技术”和“新型半导体材料与器件”信息产业部重点实验室。
西安电子科技大学的微电子专业学院拥有丰富的教育资源和先进的实验室设施。学院内设有多个部级重点实验室，包括“宽禁带半导体材料与器件”教育部重点实验室、“微电路可靠性技术”和“新型半导体材料与器件”信息产业部重点实验室。
1、中国科学院半导体材料科学重点实验室以国家重大需求为导向，聚焦国际半导体材料科学前沿及关键科学与技术问题，致力于开展半导体材料与器件应用基础性研究。
2、半导体材料科学重点实验室：位于中国科学院半导体研究所，致力于半导体材料的科学研究。边缘海地质重点实验室：由中科院广州地球化学所和南海海洋所共同支持，关注边缘海地质环境的研究。材料力学行为与设计重点实验室：设在中国科学技术大学，关注材料性能与设计的深入探究。
3、同时，还有两个院级实验室，如半导体材料科学重点实验室和中科院半导体照明研发中心。研究所还设有多个研究中心，涵盖了半导体集成技术、光电子研究等多个领域，以及多个实验室，如高速电路与神经网络、纳米光电子等。